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聯電將於6月7日召開股東常會，聯電新出爐的致股東報告書中指出，去年在先進製程有不錯進展，28奈米製程業績為前年的4倍，業績比重為10.3%，40奈米以下比重提升至34%，較前年拉升9.8個百分點。
聯電表示，基隆銀行信貸 去年投入新台幣 121.75億元研發費用，強化研發與雲林身分證借錢 台中青年創業貸款條件 製造能力，持續優化28奈米製程技術，成功開發出低漏電元件，並導入量產，大幅提升客戶產品競爭台北汽車借款 力。
至於1銀行二胎房貸商品比較 4奈米製程方面，聯電除提升內部自行研發的鰭式場效電晶體（FinFET）技術，並與客戶合作，完成高效能Fin台南小額貸款 FET元件開發，靜態隨機存取記憶體（SRAM）良率已突破瓶頸。
員林身分證借錢花蓮支票借款 在特殊技術應用方面也民間代書借款 企業資金 >台北機車借貸 有不錯進展，聯電40奈米嵌入式快閃記憶體技術已進入驗證，並與客戶持續進行28奈米嵌入式快閃記憶體開發。聯電微機電客製化麥克風元件也已累積出貨超過2億顆規模。1050517
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